台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星恨得牙痒痒，打算直攻6纳米制程扳回一城。

　　韩媒etnews报导，台积电花最少精力研发10纳米，跳级直取7纳米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从10纳米直攻基于7纳米的6纳米制程，目标2019年量产6纳米。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在6纳米，今年将装设两台艾司摩尔（ASML）极紫外光（EUV）微影设备“NXE3400B”，明年还会装设7台。

　　三星导入EUV可以减少光罩层数、节省成本。台积电首批7纳米制程并未使用EUV，仍使用ArF液浸设备，处理时间较长、成本也较高。半导体业界人士称，三星电子曾跳过20纳米，抢攻14纳米，取得成功；台积电也跳过10纳米，直取7纳米，赢得市场先机。如今三星购入EUV设备，将与台积电激烈厮杀。

　　7nm工艺还未上市就投资6nm：三星芯片工艺优势明显

　　etnews称，三星打算2019年量产6纳米。台积电拟于2018年量产7纳米，并计划在第二代7纳米制程使用EUV机台，目标2019年量产二代7纳米芯片。

　　三星的这一举措具有相当的战略性，尽管明年的7nm工艺生产会受到影响，不过从2019年开始，三星将会在与台积电的竞争中拥有明显的优势。毕竟6nm的制造工艺要比7nm更先进一些。通常来说，半导体的制造工艺越小，最终产品的功耗和性能上就越优秀。而这就意味着在2019年，三星将凭借6nm的制造工艺，成为市面上最领先的芯片制造商。

　　三星芯片销售额首超英特尔，成全球第一大芯片制造商

　　三星电子今年第二季度的芯片销售额将超过英特尔，成为全球第一大芯片制造商。野村证券（Nomura）称，三星电子今年第二季度的芯片销售额预计为151亿美元，高于英特尔144亿美元的预估销售额。

　　除非内存芯片价格今年下半年出现急剧下滑，否则三星电子有望全年超越英特尔，成为行业领导者。

　　2017年全年，三星电子芯片销售额预计为636亿美元，而英特尔预计为605亿美元。

　　目前，三星电子是全球最大的内存芯片制造商，内存芯片对于智能手机、平板电脑、个人电脑以及至关重要。而英特尔擅长生产针对个人电脑的中央处理器芯片。但是，消费者针对这类设备的需求出现下滑。

　　随着市场对移动设备和数据服务器对于芯片的强劲需求，三星电子芯片的销量将持续走高，超过英特尔。

　　另外，内存芯片价格的大幅上涨成为三星电子愈发强势的最大原因。野村证券称，D－Ram芯片的平均销售价格今年上半年较上年同期增长25％，NAND闪存芯片的价格也上涨约15％。